| Google překladač: |
|
|
Partneři Projektu CAD
Nejbližší akce
- 25.09. Trimble SketchUp – prezentace návrhů
- 29.09. Blender – sculpting a tvorba komplexních modelů
- 29.09. Blender – sculpting a tvorba komplexních modelů
- 01.10. Autodesk Inventor – kurz pro pokročilé
- 01.10. Autodesk Fusion 360 – základní kurz
- 01.10. workshop Strukturální mechanika v programu COMSOL Multiphysics
- 02.10. Autodesk Fusion 360 – pro uživatele Autodesk Inventor
- 05.10. AutoCAD a AutoCAD LT – základní kurz
- 05.10. AutoCAD 2013 - základní kurz
- 06.10. Blender – úvod do 3D
Aktuální články
- CADfórum 2026 24. září 2026
- Doplňky rozšiřující možnosti CAM – Extension Store od ENCY
- Od mikrotrhliny k datovému modelu
- Ergonomická klávesnice Genius Ergo KB-7000BT
- Webinář Optimalizace zařízení a procesů pomocí simulace sypkých materiálů
- Webinář Environment for Revit – 6. října 2026
- OPEN MIND představuje Hummingbird-MES na AMB 2026
- Trimble představuje inteligentní terč ST30
Nejrychlejší technologie eDRAM na čipu |
| Čtvrtek, 22 Únor 2007 18:12 |
 Ve studiích prezentovaných na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC) představila společnost IBM zcela novou technologii paměti na čipu s nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u paměti eDRAM (embedded dynamic random access memory). Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Ohromně zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem. Tato technologie má být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008.
Nová technologie eDRAM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI
(Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon
paměti na čipu zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického
odběru v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM.Specifikace technologie eDRAM Některé specifikace vysoce výkonné technologie eDRAM společnosti IBM: Velikost buňky: 0,126 mm2 Napájení: 1 V Dostupnost: 98,7% Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb) Odběr proudu: 76 mW Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW Doba náhodného cyklu: 2ns Latence: 1,5ns |
