| Google překladač: |
|
|
Partneři Projektu CAD
| Po | Út | St | Čt | Pá | So | Ne |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ||||||
| 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |
| 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 |
| 30 | 31 |
- 04.03. AutoCAD a AutoCAD LT – základní kurz
- 05.03. AutoCAD 2013 - základní kurz
- 05.03. workshop Strukturální mechanika v programu COMSOL Multiphysics
- 09.03. Autodesk Inventor – návrh trubek a potrubí (Tube and Pipe Design)
- 09.03. Trimble SketchUp – prezentace návrhů
- 10.03. Autodesk Inventor – kurz pro pokročilé (sestavy a strojní návrhy)
- 10.03. Trimble SketchUp – základní kurz
- 11.03. Školení pro metrology - Metrolog organizace
- 12.03. AutoCAD – kurz pro středně pokročilé
- 16.03. Autodesk Inventor – základní kurz
Aktuální články
- Chytré město stojí na datech, ne na aplikacích
- MapFactor představuje MapStick USB s TomTom mapami
- Profika: pro strojírenství bude v roce 2026 důležitý vývoj automobilového průmyslu
- Virtuální realita ve studentských projektech
- STUDER Motion Meeting & Expedition 2026
- Staňte se přednášejícím na BIM OPEN 2026 v Ostravě!
- MAPA ROKU – termín přihlášek do 28. ročníku
- 3E Praha zve na odborné setkání učitelů 2026
StreamTech.tv
Nejrychlejší technologie eDRAM na čipu |
| Čtvrtek, 22 Únor 2007 18:12 |
 Ve studiích prezentovaných na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC) představila společnost IBM zcela novou technologii paměti na čipu s nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u paměti eDRAM (embedded dynamic random access memory). Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Ohromně zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem. Tato technologie má být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008.
Nová technologie eDRAM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI
(Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon
paměti na čipu zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického
odběru v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM.Specifikace technologie eDRAM Některé specifikace vysoce výkonné technologie eDRAM společnosti IBM: Velikost buňky: 0,126 mm2 Napájení: 1 V Dostupnost: 98,7% Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb) Odběr proudu: 76 mW Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW Doba náhodného cyklu: 2ns Latence: 1,5ns |
