| Google překladač: |
|
|
Partneři Projektu CAD
| Po | Út | St | Čt | Pá | So | Ne |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
| 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 |
| 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 |
| 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |
| 29 | 30 |
- 26.06. Webinář: Transformace firmy pohledem z venku: Příprava vaší firmy pro úspěšnou d...
- 29.06. Autodesk Maya – pokročilé techniky modelování
- 29.06. Blender – pokročilé materiály a renderování
- 01.07. AutoCAD a AutoCAD LT – základní kurz
- 05.07. AutoCAD 2013 - základní kurz
- 09.07. workshop Strukturální mechanika v programu COMSOL Multiphysics
- 13.07. AutoCAD – kurz pro středně pokročilé
- 13.07. Trimble SketchUp – základní kurz
- 15.07. Autodesk Inventor – základní kurz
- 15.07. AutoCAD Electrical – základní kurz
Aktuální články
- Nová řada firemních notebooků Dell Pro s procesory Intel a AMD
- GRAITEC vydává Advance Design 2027
- Adeon zve na Letní školu Revitu
- Dva nové síťové skenery Epson formátu A3
- Nový standard monitorů AOC pro malé a střední podniky
- 3D tisk z kovů – kusová i malosériová výroba funkčních dílů
- Monitor BenQ PD2770U získal TIPA World Award 2026
- Cenově dostupná průmyslová 3D tiskárna s technologií SLS
Nejrychlejší technologie eDRAM na čipu |
| Čtvrtek, 22 Únor 2007 18:12 |
 Ve studiích prezentovaných na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC) představila společnost IBM zcela novou technologii paměti na čipu s nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u paměti eDRAM (embedded dynamic random access memory). Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Ohromně zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem. Tato technologie má být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008.
Nová technologie eDRAM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI
(Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon
paměti na čipu zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického
odběru v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM.Specifikace technologie eDRAM Některé specifikace vysoce výkonné technologie eDRAM společnosti IBM: Velikost buňky: 0,126 mm2 Napájení: 1 V Dostupnost: 98,7% Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb) Odběr proudu: 76 mW Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW Doba náhodného cyklu: 2ns Latence: 1,5ns |
