| Google překladač: |
|
|
Partneři Projektu CAD
| Po | Út | St | Čt | Pá | So | Ne |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | 4 | |||
| 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 |
| 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 |
| 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 |
| 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
- 19.01. Autodesk Inventor – kurz pro středně pokročilé (modelování součástí a plochy)...
- 21.01. AutoCAD a AutoCAD LT – základní kurz
- 22.01. workshop Strukturální mechanika v programu COMSOL Multiphysics
- 26.01. Autodesk Fusion 360 – základní kurz (úvod do parametrického modelování)
- 26.01. Webinář Od nápadu k jistotě: simulace v reálném čase
- 28.01. AutoCAD – kurz pro středně pokročilé
- 30.01. Autodesk Inventor – návrh trubek a potrubí (Tube and Pipe Design)
- 02.02. Autodesk Inventor – kurz pro středně pokročilé (modelování součástí a plochy)...
- 02.02. AutoCAD kurz – vytváření a prezentace 3D modelů
- 03.02. Blender – úvod do 3D
Aktuální články
- Webinář představující HCL CAMWorks 2026
- Dell přepracoval design ikonické značky XPS
- Klávesnice HP pro PC s funkcí AI
- Portfolio vestavěných procesorů Ryzen AI od AMD
- Nové notebooky Acer Aspire AI Copilot+ PC
- JETCAM vydává Expert v25
- Konstruujeme ve výuce robotickou linku řízenou mikropočítači
- Projektování a dimenzování technologií pro nízkoenergetické budovy
StreamTech.tv
Nejrychlejší technologie eDRAM na čipu |
| Čtvrtek, 22 Únor 2007 18:12 |
 Ve studiích prezentovaných na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC) představila společnost IBM zcela novou technologii paměti na čipu s nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u paměti eDRAM (embedded dynamic random access memory). Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Ohromně zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem. Tato technologie má být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008.
Nová technologie eDRAM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI
(Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon
paměti na čipu zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického
odběru v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM.Specifikace technologie eDRAM Některé specifikace vysoce výkonné technologie eDRAM společnosti IBM: Velikost buňky: 0,126 mm2 Napájení: 1 V Dostupnost: 98,7% Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb) Odběr proudu: 76 mW Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW Doba náhodného cyklu: 2ns Latence: 1,5ns |