| Google překladač: |
|
|
Partneři Projektu CAD
| Po | Út | St | Čt | Pá | So | Ne |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | ||
| 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
| 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 |
| 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 |
| 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
- 30.10. Autodesk Inventor – kurz pro středně pokročilé (modelování součástí a plochy)...
- 30.10. workshop Strukturální mechanika v programu COMSOL Multiphysics
- 03.11. Autodesk Inventor – kurz pro pokročilé (sestavy a strojní návrhy)
- 03.11. Autodesk Fusion 360 – základní kurz (úvod do parametrického modelování)
- 03.11. AutoCAD kurz – vytváření a prezentace 3D modelů
- 04.11. Autodesk Fusion 360 – pro uživatele Autodesk Inventor
- 05.11. AutoCAD a AutoCAD LT – základní kurz
- 05.11. AutoCAD 2013 - základní kurz
- 05.11. ATCx Unlocking Data Science & AI 2025
- 10.11. AutoCAD Electrical – základní kurz
Aktuální články
- MawisUtility: 15 let digitální podpory stavebního řízení
- ARCHICAD 29 „BIMování“ prakticky a jednoduše
- Nová multifunkční hala v Brně bude T-Mobile ARENA
- Umělá inteligence mění engineering
- Zjednodušení švýcarského obrábění v SOLIDWORKS
- Realizujeme projekty na škole s využitím 3D tisku, 9. díl
- ALLPLAN 2026: Vyšší produktivita, přesnost a spolupráce od návrhu po realizaci
- Bentley Systems posouvá umělou inteligenci v oblasti infrastruktury
StreamTech.tv
Nejrychlejší technologie eDRAM na čipu |
| Čtvrtek, 22 Únor 2007 18:12 |
 Ve studiích prezentovaných na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC) představila společnost IBM zcela novou technologii paměti na čipu s nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u paměti eDRAM (embedded dynamic random access memory). Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Ohromně zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem. Tato technologie má být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008.
Nová technologie eDRAM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI
(Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon
paměti na čipu zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického
odběru v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM.Specifikace technologie eDRAM Některé specifikace vysoce výkonné technologie eDRAM společnosti IBM: Velikost buňky: 0,126 mm2 Napájení: 1 V Dostupnost: 98,7% Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb) Odběr proudu: 76 mW Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW Doba náhodného cyklu: 2ns Latence: 1,5ns |
