| Google překladač: |
|
|
Partneři Projektu CAD
| Po | Út | St | Čt | Pá | So | Ne |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | ||
| 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
| 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 |
| 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 |
| 27 | 28 | 29 | 30 |
- 20.04. Trimble SketchUp – základní kurz
- 21.04. Blender – úvod do 3D
- 21.04. Kurz: GD&T a výkresová dokumentace
- 22.04. AutoCAD a AutoCAD LT – základní kurz
- 24.04. Autodesk Maya – pokročilé techniky modelování
- 27.04. Autodesk Maya – úvod do 3D
- 28.04. Autodesk Inventor – kurz iLogic
- 29.04. AutoCAD – kurz pro středně pokročilé
- 30.04. workshop Strukturální mechanika v programu COMSOL Multiphysics
- 04.05. AutoCAD a AutoCAD LT – základní kurz
Aktuální články
- HP Multi Jet Fusion 1200 – průmyslový 3D tisk MJF v kompaktním formátu
- MapFactor Navigator 8.1 pro Android přesnější pro kamiony
- Mapy jsou pro každého 2026
- Nové vlajkové modely monitorů BenQ pro práci s Macy
- Epson uvádí řadu špičkových 6osých robotů CX-A
- Nominace na ocenění MAPA ROKU 2025 vyhlášeny
- Firmy se bojí zaspat, robotizaci si pořizují s předstihem
- Poslední volná místa na Designcenter NX User Event
Nejrychlejší technologie eDRAM na čipu |
| Čtvrtek, 22 Únor 2007 18:12 |
 Ve studiích prezentovaných na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC) představila společnost IBM zcela novou technologii paměti na čipu s nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u paměti eDRAM (embedded dynamic random access memory). Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Ohromně zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem. Tato technologie má být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008.
Nová technologie eDRAM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI
(Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon
paměti na čipu zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického
odběru v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM.Specifikace technologie eDRAM Některé specifikace vysoce výkonné technologie eDRAM společnosti IBM: Velikost buňky: 0,126 mm2 Napájení: 1 V Dostupnost: 98,7% Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb) Odběr proudu: 76 mW Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW Doba náhodného cyklu: 2ns Latence: 1,5ns |
