| Google překladač: |
|
|
Partneři Projektu CAD
| Po | Út | St | Čt | Pá | So | Ne |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | |||||
| 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
| 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 |
| 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 |
| 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
| 31 |
- 10.08. Autodesk Inventor – kurz iLogic
- 11.08. Autodesk Inventor – kurz pro pokročilé
- 11.08. AutoCAD kurz – vytváření a prezentace 3D modelů
- 11.08. CATIA V5 Summer Training Days
- 12.08. Autodesk Inventor – základní kurz
- 12.08. Blender – úvod do 3D
- 13.08. AutoCAD – kurz pro středně pokročilé
- 13.08. Autodesk Fusion 360 – základní kurz
- 14.08. Autodesk Fusion 360 – pro uživatele Autodesk Inventor
- 17.08. Trimble SketchUp – základní kurz
Aktuální články
- Vyšší výkon, nové fyzikální modely a GPU akcelerace v OpenFOAM v2606
- MetraSCAN BLACK2 zvyšuje flexibilitu při rozměrové kontrole přímo ve výrobě
- Dell Pro Precision 7 R1 – 1U racková pracovní stanice pro náročné inženýrské a AI úlohy
- Senzory sledují kvalitu komunikací i v horkém létu
- ČAS rozšířila Datový standard stavby a dokončila další milník zavádění BIM v Česku
- 3D modely pomáhají městům plánovat rozvoj i zvládat krize
- BenQ PD2732U vrcholem nové řady BenQ Creative Pro
- Digitalizace staveb 2026: od skenu k BIM modelu
Nejrychlejší technologie eDRAM na čipu |
| Čtvrtek, 22 Únor 2007 18:12 |
 Ve studiích prezentovaných na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC) představila společnost IBM zcela novou technologii paměti na čipu s nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u paměti eDRAM (embedded dynamic random access memory). Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Ohromně zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem. Tato technologie má být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008.
Nová technologie eDRAM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI
(Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon
paměti na čipu zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického
odběru v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM.Specifikace technologie eDRAM Některé specifikace vysoce výkonné technologie eDRAM společnosti IBM: Velikost buňky: 0,126 mm2 Napájení: 1 V Dostupnost: 98,7% Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb) Odběr proudu: 76 mW Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW Doba náhodného cyklu: 2ns Latence: 1,5ns |
