| Google překladač: |
|
|
Partneři Projektu CAD
| Po | Út | St | Čt | Pá | So | Ne |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | ||||
| 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
| 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |
| 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 |
| 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
- 12.11. AutoCAD – kurz pro středně pokročilé
- 12.11. workshop Strukturální mechanika v programu COMSOL Multiphysics
- 18.11. AutoCAD a AutoCAD LT – základní kurz
- 18.11. Autodesk Maya – úvod do 3D
- 23.11. Autodesk Inventor – kurz pro pokročilé
- 23.11. Autodesk Fusion 360 – základní kurz
- 23.11. Blender – úvod do 3D
- 25.11. AutoCAD – kurz pro středně pokročilé
- 27.11. Autodesk Inventor – návrh plechových dílů a součástí
- 30.11. Autodesk Fusion 360 – základní kurz
Aktuální články
- Webinář Představení HCL CAMWorks 2027
- Opakované použití nastavení nástrojů v ENCY 3.2
- Vylepšený robot Stretch Gen 2 od Boston Dynamics
- Trimble integruje zpracování dat z dronů přímo do softwaru WorksManager
- Wacom Intuos Pro Large – nástroj pro přesnou práci
- Stavební roboti a budoucnost BIM
- Belgický Orteam zavádí robotické frézování s ENCY Robot
- Notebook Panasonic FC7 pro profesionály v Evropě
Nejrychlejší technologie eDRAM na čipu |
| Čtvrtek, 22 Únor 2007 18:12 |
 Ve studiích prezentovaných na konferenci International Solid State Circuits Conference (ISSCC) představila společnost IBM zcela novou technologii paměti na čipu s nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u paměti eDRAM (embedded dynamic random access memory). Nová technologie vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Ohromně zvyšuje výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v hrách, síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem. Tato technologie má být hlavní součástí 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008.
Nová technologie eDRAM, která používá zátěžově odolný 65nm SOI
(Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon
paměti na čipu zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického
odběru v pohotovostním režimu oproti konvenční paměti SRAM.Specifikace technologie eDRAM Některé specifikace vysoce výkonné technologie eDRAM společnosti IBM: Velikost buňky: 0,126 mm2 Napájení: 1 V Dostupnost: 98,7% Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb) Odběr proudu: 76 mW Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW Doba náhodného cyklu: 2ns Latence: 1,5ns |
