Dokončen vývoj 32nm výrobního procesu

Intel dokončil fázi vývoje nového výrobního procesu, který zmenší rozměr tranzistorů v počítačových čipech na 32 nanometrů. Probíhá také příprava na nový výrobní proces zvyšující výkonnost tranzistorů a jejich energetickou úspornost. Předběžné odhady hovoří o čtvrtém čtvrtletí roku 2009. Technické podrobnosti o novém 32nm technologickém procesu zveřejní Intel na konferenci International Electron Devices Meeting (IEDM) v San Franciscu. Díky dodržení časového rámce vývojového i výrobního plánu naplní svůj plán produktové a výrobní frekvence nazývaný „tick-tock“ model. Cílem je přibližně každých 12 měsíců střídavě představovat zcela novou procesorovou mikroarchitekturu a nejmodernější výrobní proces. Studie a prezentace společnosti Intel na téma 32nm výrobního procesu podrobněji popisuje technologický postup, využívající druhou generaci high-k + metal gate technologie, 193nm imersní litografii a pokročilé techniky napětí transistorů. Tyto funkce zvyšují výkon a energetickou účinnost procesorů Intel.
Intel na konferenci IEDM představí i další studie, zabývající se zejména následujícími tématy: nízkoenergetickou verzí „systému na jednom čipu“ (System on Chip - SoC) vytvořeného 45nm procesem, tranzistory na bázi sloučeninových polovodičů, integrace chemických mechanických leštidel pro 45nm uzly a integrace pole křemíkových fotonických modulátorů. Společnost se také zúčastní krátké přednášky na téma 22nm CMOS technologie.